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三星宣布5/4/3nm芯片制造工藝
關(guān)鍵字:【觀察者網(wǎng) 綜合報(bào)道】盡管當(dāng)前最新的一代移動芯片仍基于10納米工藝制程,但三星宣布早已經(jīng)準(zhǔn)備好了7納米LPP工藝,2018年下半年就可以基于此全新工藝生產(chǎn)更小、更低功率的芯片。
而且在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星還直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
其中,5nm LPE工藝相較于7nm LPP,會進(jìn)一步縮小芯片核心面積,帶來更低的功耗。
4nm LPE/LPP將會成為三星最后一次在芯片上使用FinFET技術(shù),進(jìn)步壓縮芯片面積。
3nm GAAE/GAAP則采用了全新的GAA(Gate-All-Around,環(huán)繞柵極)納米技術(shù),需要重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu),克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限,增強(qiáng)柵極控制,性能大大提升。
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- 責(zé)任編輯:于文凱
- 最后更新: 2018-05-24 10:03:29
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