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（文/觀察者網(wǎng) 呂棟）“中國(guó)的創(chuàng)新與設(shè)計(jì)能力正以高速趕上世界領(lǐng)先水平。為充分利用中國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力，該集團(tuán)計(jì)劃繼續(xù)深化與中國(guó)客戶的合作?！?月31日晚，芯片制造商中芯國(guó)際（00981.HK）在2019年財(cái)報(bào)中提到。

財(cái)報(bào)援引IHS Markit數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)市場(chǎng)2019年規(guī)模約400億美元，并將在2023年達(dá)到860億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超21%。

去年，中芯國(guó)際中國(guó)業(yè)務(wù)的營(yíng)收占比達(dá)到59.5%。觀察者網(wǎng)注意到，盡管總收入下降7.3%，但基于其在華的戰(zhàn)略位置，該公司順勢(shì)將2020年的增長(zhǎng)率目標(biāo)定為11%至19%，并計(jì)劃將毛利率維持在20%，保持盈利。

圖源：視覺(jué)中國(guó)

值得一提的是，在工藝制程方面，中芯國(guó)際14nm已貢獻(xiàn)營(yíng)收的1%；N+1的研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段。后者也被外界認(rèn)為相當(dāng)于臺(tái)積電的第一代7nm工藝。

市場(chǎng)角逐上，觀察者網(wǎng)1月報(bào)道，中芯國(guó)際已經(jīng)“擠走”臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體的14nm FinFET工藝芯片代工訂單。

財(cái)報(bào)截圖

“7nm”已進(jìn)入客戶導(dǎo)入

“2019年，全球宏觀形勢(shì)出現(xiàn)了許多不確定性。”財(cái)報(bào)《致股東的信》開(kāi)篇提到。而在對(duì)2020年展望中，中芯國(guó)際指出，新冠病毒疫情給2020年的開(kāi)始蒙上一層陰影，“然而我們相信，展望未來(lái)，中國(guó)將繼續(xù)擴(kuò)大其于半導(dǎo)體業(yè)中的角色”。

財(cái)報(bào)披露，在經(jīng)營(yíng)環(huán)境挑戰(zhàn)頗大的情況下，2019年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收31.2億美元，同比下降7.3%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2.35億美元，同比增長(zhǎng)75%；當(dāng)期毛利率為20.6%，比上年同期下降1.6個(gè)百分點(diǎn)；另外，年內(nèi)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)所得現(xiàn)金為10.2億美元，同比增長(zhǎng)27.5%。

財(cái)報(bào)截圖

研發(fā)方面，中芯國(guó)際2019年的研發(fā)投入為再創(chuàng)新高的6.9億美元，同比增長(zhǎng)4.5%，占營(yíng)收比例約22%。

中芯國(guó)際在財(cái)報(bào)中表示：當(dāng)年在先進(jìn)制程研發(fā)取得突破性進(jìn)展。第一代14nm FinFET技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)，上季度貢獻(xiàn)約1%的收入，預(yù)計(jì)在2020年穩(wěn)健上量；第二代FinFET技術(shù)平臺(tái)持續(xù)客戶導(dǎo)入。

財(cái)報(bào)中透露，中芯國(guó)際更先進(jìn)的FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展速度加快。其開(kāi)發(fā)了14/12nm 多種特色工藝平臺(tái)，N+1的研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段。

值得注意的是，N+1被外界認(rèn)為就是中芯國(guó)際的7nm工藝。

福布斯中文網(wǎng)3月11日的報(bào)道就指出，中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。

其中，N+1對(duì)應(yīng)的就是低功耗的N7，N+2對(duì)應(yīng)的就是高性能的N7P。

2月14日，在中芯國(guó)際2019第四季度電話財(cái)報(bào)會(huì)議中，其聯(lián)合CEO梁孟松博士透露，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

“所以在功率和穩(wěn)定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區(qū)別在于性能方面，N+1工藝提升較小，市場(chǎng)基準(zhǔn)性能提升應(yīng)該是35%。所以，中芯國(guó)際的N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的?！彼?dāng)時(shí)說(shuō)。

2018年5月，中芯國(guó)際曾向荷蘭阿斯麥爾（ASML）訂購(gòu)一臺(tái)最新型的EUV光刻機(jī)，價(jià)值高達(dá)1.5億美元，原計(jì)劃在2019年初交付。在美國(guó)方面阻擾之下，這項(xiàng)交易至今仍未完成。

因此，也有人質(zhì)疑沒(méi)有EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際就無(wú)法實(shí)現(xiàn)下一代制程研發(fā)。

不過(guò)，梁孟松在上述財(cái)報(bào)會(huì)議中，當(dāng)下的計(jì)劃中，N+1和N+2工藝都不會(huì)使用EUV設(shè)備，等到設(shè)備就緒以后，N+2才會(huì)轉(zhuǎn)而使用EUV設(shè)備。

上述報(bào)道中提到，中芯國(guó)際計(jì)劃于今年四季度進(jìn)行“FinFET 7nm”的初始生產(chǎn)。如果“7nm”工藝到年底順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這意味著中芯國(guó)際與臺(tái)積電的工藝差距進(jìn)一步縮小，后者已于兩年前實(shí)現(xiàn)7nm的量產(chǎn)。

而在3月初，英特爾首席財(cái)務(wù)官George Davis對(duì)投資者承認(rèn)其已經(jīng)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，要趕上至少需要2年。英特爾的10nm一直“難產(chǎn)”，計(jì)劃將于2021年推出7nm工藝，5nm工藝還未明確推出時(shí)間。

也就是說(shuō)，中芯國(guó)際有望領(lǐng)先英特爾。

財(cái)報(bào)截圖