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今年資本開支近300億

目前，全球晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊張。盡管10nm及以下工藝被美國(guó)限制，但在14nm及以上工藝所需設(shè)備獲得許可后，中芯國(guó)際仍可以在成熟制程方面大展身手，畢竟中國(guó)市場(chǎng)大量的Fabless，暫時(shí)還用不到5nm。

根據(jù)咨詢機(jī)構(gòu)“芯謀研究”推出的《中國(guó)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)年度報(bào)告》，2020年中國(guó)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到442億美元，到2025年，這一數(shù)字將超過(guò)1000億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）超過(guò)20%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：芯謀研究

展望2021年，中芯國(guó)際透露，今年重點(diǎn)工作是，在持續(xù)堅(jiān)持依法合規(guī)經(jīng)營(yíng)的前提下，第一，繼續(xù)與供應(yīng)商、客戶及相關(guān)政府部門緊密合作、積極溝通，推進(jìn)出口許可申請(qǐng)工作，盡最大努力保障運(yùn)營(yíng)連續(xù)性；第二，爭(zhēng)取盡快擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶需求。

全年目標(biāo)及計(jì)劃如下：

收入目標(biāo)為中到高個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)。其中，上半年收入目標(biāo)約139億元；全年毛利率目標(biāo)為百分之十到二十的中部。資本開支為280.9億元，其中大部分用于成熟工藝的擴(kuò)產(chǎn)，小部分用于先進(jìn)工藝、北京新合資項(xiàng)目土建及其它。

中芯國(guó)際補(bǔ)充稱，該公司給出的全年預(yù)期，是基于運(yùn)營(yíng)連續(xù)性不受重大不利影響這個(gè)前提。該全年預(yù)期并不構(gòu)成該公司對(duì)2021年度的業(yè)績(jī)承諾，該預(yù)期能否實(shí)現(xiàn)取決于市場(chǎng)狀況變化、國(guó)際地緣政治形勢(shì)的變化、全球供應(yīng)鏈變化、公司經(jīng)營(yíng)等諸多因素，存在不確定性。

財(cái)報(bào)截圖

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)走向，各方有不同看法。今年1月，方正證券曾發(fā)布研報(bào)稱，通過(guò)復(fù)盤近三年美國(guó)的三輪芯片封鎖，首先可以總結(jié)出中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的三個(gè)階段：

第一輪封鎖：2019年5月限制華為終端的上游芯片供應(yīng)商，目的是卡住芯片下游成品；

第二輪封鎖：2020年9月限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工；

第三輪封鎖：2020年12月限制中芯國(guó)際上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。

該券商認(rèn)為，為應(yīng)對(duì)這種生存環(huán)境的巨變，中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)也進(jìn)行了三輪大級(jí)別的調(diào)整：

第一個(gè)階段：終端廠帶動(dòng)上游設(shè)計(jì)和封測(cè)。2019年華為被美國(guó)列入實(shí)體清單后，將相當(dāng)部分的芯片訂單轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)“備胎”供應(yīng)鏈，直接顯著推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)（模擬、數(shù)字、射頻、存儲(chǔ)）和封測(cè)公司收入、業(yè)績(jī)的加速增長(zhǎng)，這也是2019年開啟的A股半導(dǎo)體牛市背后的原因。

第二個(gè)階段：Fabless帶動(dòng)上游晶圓代工廠。在海外Fab廠不能為華為海思提供晶圓代工后，國(guó)產(chǎn)晶圓廠成為替代必選方案，中芯國(guó)際經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，在國(guó)產(chǎn)Fabless巨頭的通力配合下，已經(jīng)在2020年量產(chǎn)14nmFinFET工藝，并向N+1節(jié)點(diǎn)過(guò)渡，這是中國(guó)集成電路行業(yè)歷史性突破。

第三個(gè)階段：晶圓廠帶動(dòng)上游設(shè)備和材料。在FinFET工藝陸續(xù)突破之際，2020年末美國(guó)新一輪實(shí)體清單直接指向中芯國(guó)際，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備是晶圓廠的底盤，而美系設(shè)備商大約占據(jù)一條Fab產(chǎn)線的50%份額（PVD、刻蝕機(jī)、CVD、Imp、Clean、Furnace），AMAT、LAM、KLAC都是全球壟斷級(jí)別的設(shè)備巨頭，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝上依舊無(wú)可替代。但是在成熟工藝節(jié)點(diǎn)，國(guó)產(chǎn)和日本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)程度的替代。

方正證券指出，當(dāng)下擺在中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)主要矛盾已經(jīng)不是缺少工藝，而是缺少半導(dǎo)體設(shè)備和材料。未來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體將走向成熟工藝、走向雙循環(huán)、走向根技術(shù)（半導(dǎo)體設(shè)備、材料）。

令人欣慰的是，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)鏈也在持續(xù)取得突破。

今年3月，中國(guó)電科旗下裝備子集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化；中微公司的5nm刻蝕機(jī)早已進(jìn)入臺(tái)積電供應(yīng)鏈；南大光電第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠（可用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)）已通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證；滬硅產(chǎn)業(yè)2018年已實(shí)現(xiàn)300mm（12英寸）硅片國(guó)產(chǎn)化；而國(guó)家02專項(xiàng)光刻機(jī)項(xiàng)目二期中，設(shè)定2020年12月驗(yàn)收193nmArF浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)，其制程為28nm。

相信隨著國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)取得突破，中國(guó)芯片被“卡脖子”的環(huán)節(jié)會(huì)越來(lái)越少。

圖片來(lái)源：芯謀研究

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