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（觀察者網(wǎng)訊 文/一鳴）

中國(guó)每年進(jìn)口集成電路超過(guò)3000億美元，其中存儲(chǔ)芯片就占了1/3，而這一市場(chǎng)基本壟斷在三星、東芝、美光、西數(shù)等美日韓公司手中，因此該領(lǐng)域也成為中國(guó)企業(yè)追趕的重點(diǎn)。

對(duì)此，對(duì)手卻頗為自信。9月30日，全球第二大NAND閃存芯片制造商?hào)|芝存儲(chǔ)技術(shù)執(zhí)行官柳茂知在接受采訪時(shí)表示:“對(duì)于新來(lái)者來(lái)說(shuō)，在最近兩三年內(nèi)迎頭趕上并不容易。”

他是在深圳舉行的2019年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)上作出這番表態(tài)的，他認(rèn)為，市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)剩的局面已經(jīng)終結(jié)，此前的供應(yīng)過(guò)剩已將利潤(rùn)率擠壓至10年來(lái)的最低水平。

東芝存儲(chǔ)技術(shù)執(zhí)行官柳茂知

東芝存儲(chǔ)預(yù)計(jì)，NAND市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)剩將會(huì)緩解，目前該市場(chǎng)的規(guī)模是4060億美元。

柳茂知也沒(méi)有輕視中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)，他提到東芝也將加速投資確保優(yōu)勢(shì)。“我不知道四五年后會(huì)發(fā)生什么，” 柳茂知說(shuō)?！爸袊?guó)企業(yè)日后將在全球市場(chǎng)上擁有優(yōu)勢(shì)。但東芝存儲(chǔ)也將進(jìn)行投資，以確保我們能夠長(zhǎng)期參與競(jìng)爭(zhēng)?！?

對(duì)于未來(lái)的的閃存產(chǎn)品，柳茂知提出，現(xiàn)如今的系統(tǒng)將無(wú)法支持5G下爆炸性的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)及供應(yīng)量。從現(xiàn)有的大數(shù)據(jù)調(diào)研結(jié)果來(lái)看，未來(lái)的閃存產(chǎn)品將在移動(dòng)設(shè)備，IOT設(shè)備中得到極為廣泛的應(yīng)用。未來(lái)存儲(chǔ)設(shè)備需要滿足高達(dá)100X速度提升，巔峰傳輸速度將達(dá)到10Gbit/s。

在這樣的應(yīng)用需求背景下，業(yè)界及市場(chǎng)對(duì)閃存存儲(chǔ)也提出了新的要求。以傳統(tǒng)的局域網(wǎng)絡(luò)傳輸應(yīng)用舉例，存儲(chǔ)設(shè)備的性能將從400Gbps提升至1.6Tbps；與之相對(duì)的，東芝存儲(chǔ)將在現(xiàn)有第四代96層BiCS閃存堆疊技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)行升級(jí)。

今年6月，東芝存儲(chǔ)以180億美元的價(jià)格出售給美國(guó)私募股權(quán)公司貝恩資本(Bain Capital)牽頭的財(cái)團(tuán)。東芝存儲(chǔ)認(rèn)為市場(chǎng)將在今年年底前有所改善，并預(yù)計(jì)復(fù)蘇將持續(xù)至2020年。

“價(jià)格下跌將停止，”營(yíng)銷總經(jīng)理高橋俊和(Toshikazu Takahashi)表示?！皬慕衲甑谒募径鹊矫髂?，市場(chǎng)將更加平衡。”

這主要在于中國(guó)市場(chǎng)是全球增長(zhǎng)最快的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。高橋俊和還表示，包括下一代5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所用芯片的需求不斷增長(zhǎng)，以及個(gè)人電腦從硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器向閃存固態(tài)硬盤(pán)轉(zhuǎn)變都會(huì)產(chǎn)生積極影響。

根據(jù)最新的報(bào)道，東芝將在日本四日市的閃存工廠增加3000億日元的投資，擴(kuò)大閃存生產(chǎn)。

存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域是國(guó)內(nèi)目前重點(diǎn)發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)，通過(guò)近年努力，目前大陸制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片已形成三大重心，分別是福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫與長(zhǎng)江存儲(chǔ)，福建晉華與合肥長(zhǎng)鑫主攻DRAM，位在武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)主打3DNAND快閃存儲(chǔ)器。其中，總投資高達(dá)240億美元長(zhǎng)江存儲(chǔ)的進(jìn)展最受外界關(guān)注。

伯恩斯坦研究公司(Bernstein Research)分析師馬克·李(Mark Li)就曾表示:“中國(guó)確實(shí)有推動(dòng)其存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展的雄心，中國(guó)市場(chǎng)最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。”

9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，其已開(kāi)始量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存，該芯片采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。

該公司表示，該閃存滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。與目前業(yè)界已上市的64、72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲(chǔ)密度。

去年有報(bào)道稱，全球最大的閃存買(mǎi)家蘋(píng)果對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行過(guò)調(diào)研，評(píng)估其作為潛在供應(yīng)商的情況。

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