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【文/觀察者網(wǎng)專欄作者 心智觀察所】

不久前，國家商務(wù)部、海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告，決定對部分中重稀土相關(guān)物項實施出口管制，包括釤、釓、鋱、鏑、镥、鈧、釔的合金、化合物、氧化物等相關(guān)物項出口，必須根據(jù)相關(guān)法規(guī)向商務(wù)部申請許可證。

消息一出，相關(guān)物項的國際市場價格應(yīng)聲暴漲，專業(yè)人士甚至預(yù)期后續(xù)將會有500%乃至更大幅度的漲價。

正如心智觀察所第一時間進行的分析，此舉將會對全球供應(yīng)鏈產(chǎn)生戰(zhàn)略性影響，尤其是對高度依賴這7種稀土材料的高性能磁體、光電材料及其下游國防軍工、醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。

許多人或許還沒有意識到的是，此次出招，對光刻機產(chǎn)業(yè)制高點的角逐也將帶來巨大影響。

眾所周知，EUV光刻機已然成為美國對華科技遏制的最關(guān)鍵抓手，一談起EUV，就會有各種奇奇怪怪的失敗主義論調(diào)橫行于國內(nèi)輿論場，以各種看似扎實的數(shù)據(jù)言之鑿鑿論證中國無望追趕。

然而且不說新型舉國體制正在EUV技術(shù)攻堅中凝聚起的力量，單從對手的需求看，在美國管轄長臂試圖“鎖死”中國光刻機發(fā)展上限的同時，美西方自身想要將光刻技術(shù)繼續(xù)向前推進，同樣極大受制于中國稀土材料供給。

根據(jù)目前ASML發(fā)布的產(chǎn)品路線圖，其現(xiàn)有EUV產(chǎn)品體系沿著數(shù)值孔徑和工藝因子優(yōu)化的路徑，預(yù)計可迭代到2030年代初期的0.75NA HXE系列，此時就將到達現(xiàn)有技術(shù)體系的分辨率極限，2035年后，超越現(xiàn)有架構(gòu)的“BEUV”（Beyond EUV）光刻機將取代其王者地位。

目前，海外已經(jīng)相繼鋪開了BEUV關(guān)鍵技術(shù)研究，如去年底美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）就公開了可作為光刻機驅(qū)動激光的大孔徑銩 (BAT) 激光器，并將牽頭組建極端光刻與材料創(chuàng)新中心（ELMIC）。

ELMIC是一項為期四年、耗資1200萬美元的研究項目，將測試BAT激光器能否將EUV光源效率提高約10倍，有望催生下一代BEUV光刻系統(tǒng)，該項目成員還包括ASML首席EUV光源專家Michael Purvis。

對于BEUV，目前還有多條光源技術(shù)路線正在被研究，包括中國已走在全球前沿的自由電子激光（FEL）、穩(wěn)態(tài)微聚束（SSMB）加速器等，不過最新版IRDS光刻路線圖中也坦言，替代方案的最大挑戰(zhàn)是缺乏產(chǎn)業(yè)生態(tài)，因此“向公用事業(yè)規(guī)模光源架構(gòu)的必要范式轉(zhuǎn)變具有足夠的顛覆性，需要就其開發(fā)和相關(guān)的生態(tài)系統(tǒng)/基礎(chǔ)設(shè)施變革達成廣泛共識”。

基于這一背景，業(yè)界對于開發(fā)短波長（6.X納米）的激光等離子體光源給予了高度重視，有很大概率成為優(yōu)選技術(shù)路線，原因不僅是其技術(shù)原理與當前EUV光刻機有較高繼承性，且多層鏡組成的反射式光學(xué)系統(tǒng)在6.X納米波長下理論反射率可高達70%。