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【文/觀察者網(wǎng)專欄作者 心智觀察所】

不久前，國(guó)家商務(wù)部、海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告，決定對(duì)部分中重稀土相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，包括釤、釓、鋱、鏑、镥、鈧、釔的合金、化合物、氧化物等相關(guān)物項(xiàng)出口，必須根據(jù)相關(guān)法規(guī)向商務(wù)部申請(qǐng)?jiān)S可證。

消息一出，相關(guān)物項(xiàng)的國(guó)際市場(chǎng)價(jià)格應(yīng)聲暴漲，專業(yè)人士甚至預(yù)期后續(xù)將會(huì)有500%乃至更大幅度的漲價(jià)。

正如心智觀察所第一時(shí)間進(jìn)行的分析，此舉將會(huì)對(duì)全球供應(yīng)鏈產(chǎn)生戰(zhàn)略性影響，尤其是對(duì)高度依賴這7種稀土材料的高性能磁體、光電材料及其下游國(guó)防軍工、醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。

許多人或許還沒(méi)有意識(shí)到的是，此次出招，對(duì)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)的角逐也將帶來(lái)巨大影響。

眾所周知，EUV光刻機(jī)已然成為美國(guó)對(duì)華科技遏制的最關(guān)鍵抓手，一談起EUV，就會(huì)有各種奇奇怪怪的失敗主義論調(diào)橫行于國(guó)內(nèi)輿論場(chǎng)，以各種看似扎實(shí)的數(shù)據(jù)言之鑿鑿論證中國(guó)無(wú)望追趕。

然而且不說(shuō)新型舉國(guó)體制正在EUV技術(shù)攻堅(jiān)中凝聚起的力量，單從對(duì)手的需求看，在美國(guó)管轄長(zhǎng)臂試圖“鎖死”中國(guó)光刻機(jī)發(fā)展上限的同時(shí)，美西方自身想要將光刻技術(shù)繼續(xù)向前推進(jìn)，同樣極大受制于中國(guó)稀土材料供給。

根據(jù)目前ASML發(fā)布的產(chǎn)品路線圖，其現(xiàn)有EUV產(chǎn)品體系沿著數(shù)值孔徑和工藝因子優(yōu)化的路徑，預(yù)計(jì)可迭代到2030年代初期的0.75NA HXE系列，此時(shí)就將到達(dá)現(xiàn)有技術(shù)體系的分辨率極限，2035年后，超越現(xiàn)有架構(gòu)的“BEUV”（Beyond EUV）光刻機(jī)將取代其王者地位。

目前，海外已經(jīng)相繼鋪開了BEUV關(guān)鍵技術(shù)研究，如去年底美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）就公開了可作為光刻機(jī)驅(qū)動(dòng)激光的大孔徑銩 (BAT) 激光器，并將牽頭組建極端光刻與材料創(chuàng)新中心（ELMIC）。

ELMIC是一項(xiàng)為期四年、耗資1200萬(wàn)美元的研究項(xiàng)目，將測(cè)試BAT激光器能否將EUV光源效率提高約10倍，有望催生下一代BEUV光刻系統(tǒng)，該項(xiàng)目成員還包括ASML首席EUV光源專家Michael Purvis。

對(duì)于BEUV，目前還有多條光源技術(shù)路線正在被研究，包括中國(guó)已走在全球前沿的自由電子激光（FEL）、穩(wěn)態(tài)微聚束（SSMB）加速器等，不過(guò)最新版IRDS光刻路線圖中也坦言，替代方案的最大挑戰(zhàn)是缺乏產(chǎn)業(yè)生態(tài)，因此“向公用事業(yè)規(guī)模光源架構(gòu)的必要范式轉(zhuǎn)變具有足夠的顛覆性，需要就其開發(fā)和相關(guān)的生態(tài)系統(tǒng)/基礎(chǔ)設(shè)施變革達(dá)成廣泛共識(shí)”。

基于這一背景，業(yè)界對(duì)于開發(fā)短波長(zhǎng)（6.X納米）的激光等離子體光源給予了高度重視，有很大概率成為優(yōu)選技術(shù)路線，原因不僅是其技術(shù)原理與當(dāng)前EUV光刻機(jī)有較高繼承性，且多層鏡組成的反射式光學(xué)系統(tǒng)在6.X納米波長(zhǎng)下理論反射率可高達(dá)70%。