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（觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

被稱為中國三大存儲芯片廠商之一的長鑫存儲在專利來源方面取得重要突破。

12月5日，長鑫存儲在官方微信公號宣布，通過加拿大知識產(chǎn)權(quán)公司W(wǎng)iLAN獲得大量來源于英飛凌的動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）技術(shù)專利的實施許可。由于涉及商業(yè)秘密條款，雙方并沒有披露交易金額。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進一步強化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措?！?

觀察者網(wǎng)注意到，目前市場上主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），另一種是NAND Flash（閃存）。中國目前在這兩個領(lǐng)域基本都依靠進口。

不過讓人欣慰的是，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目已正式投產(chǎn)，首批芯片今年底將會交付客戶 。除此之外，紫光集團今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域，并已在重慶布局DRAM存儲芯片工廠。

但是，中國企業(yè)在DRAM領(lǐng)域仍然任重道遠。目前在該領(lǐng)域，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計接近95%，更關(guān)鍵的是，這三家企業(yè)同時掌控著諸多DRAM技術(shù)專利。

對此，財新網(wǎng)6日援引一名半導(dǎo)體行業(yè)資深人士的話報道稱：此次長鑫存儲拿到更多的技術(shù)授權(quán)和專利有防御作用。當(dāng)競爭對手發(fā)起專利戰(zhàn)，一些基礎(chǔ)的專利可以用來“打仗”。

長鑫存儲未來廠房效果圖 圖自公司官網(wǎng)

首批DRAM芯片年底交付

據(jù)長鑫存儲官方微信5日介紹，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited已達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。這些專利由德國制造商奇夢達開發(fā)，Polaris從其母公司英飛凌購得。

依據(jù)雙方達成的獨立專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利，此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“長鑫存儲將不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累。兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進一步強化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措?！?

而WiLAN總裁兼首席執(zhí)行官Michael Vladescu坦言：“這兩份協(xié)議表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)，致力于持續(xù)投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權(quán)益將使長鑫存儲在業(yè)內(nèi)擁有競爭優(yōu)勢，助力長鑫存儲持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)?！?

DRAM即動態(tài)隨機存儲器，是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛用于PC、手機、服務(wù)器等領(lǐng)域。目前，中國存儲芯片廠商已開始在該領(lǐng)域不斷加大投入并已有所進展。

2016年，合肥長鑫存儲項目啟動。今年9月20日，長鑫存儲宣布：總投資約1500億元的內(nèi)存芯片自主制造項目正式投產(chǎn)。其與國際主流DRAM同步的10納米級第一代8Gb DDR4也首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能達每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將會交付客戶 。

新華社當(dāng)時援引業(yè)內(nèi)專家介紹稱，長鑫存儲DRAM項目投產(chǎn)標(biāo)志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主生產(chǎn)能力。

除此之外，紫光集團今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域。6月30日，紫光集團宣布成立DRAM事業(yè)群，集團聯(lián)席總裁刁石京任董事長、全球執(zhí)行副總裁高啟全任CEO。該集團還計劃于年底在重慶開工建設(shè)DRAM工廠，主要制造12英寸的DRAM存儲芯片。