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中國64層NAND量產(chǎn)后,三星赴陜再投563億建最大閃存基地
最后更新: 2019-12-11 17:17:36(觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲)
盡管關(guān)閉了最后一家手機(jī)工廠,但三星在華布局并未停歇。
據(jù)西安晚報12月11日報道,三星電子西安閃存芯片(NAND)項目二期第二階段80億美元(約合人民幣563億元)投資10日正式啟動。
報道稱,二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,新增產(chǎn)值300億元,解決上千人就業(yè),并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶,使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。
據(jù)介紹,三星電子西安閃存芯片項目一期投資108億美元,建成存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片。其中,第一階段投資約70億美元,明年3月竣工投產(chǎn);第二階段投資80億美元,2021年下半年竣工。
觀察者網(wǎng)查詢DRAMeXchange數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),2018年,三星占全球NAND市場份額的35%,其與美光和SK海力士等廠商幾乎壟斷市場供應(yīng)。
中國首款64層3D NAND閃存9月量產(chǎn)
值得一提的是,今年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲宣布,已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
紫光集團(tuán)稱,這是中國首款64層3D NAND閃存,亦是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。
科工力量專欄作者鐵君曾在文中提到,由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國際大廠所壟斷,特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場份額,這直接導(dǎo)致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。
文章認(rèn)為:“本次長江存儲量產(chǎn)64層NAND,一定程度上緩解了三星、SK海力士、美光等公司的壟斷局面,在當(dāng)下的國際環(huán)境下,格外具有意義?!?
據(jù)該文介紹,由于紫光的64層NAND性能逼近國際大廠的96層3D NAND,因而可以直接在商業(yè)市場與外商競爭。文章還提到,紫光或跳過96層NAND,直接研發(fā)128層NAND,力爭在技術(shù)上進(jìn)一步縮短與外商的差距。但目前還未得到官方的證實。
“目前,長江存儲只是技術(shù)上取得了突破,而且產(chǎn)能也比較有限。相對于三星、SK海力士、鎂光、英特爾等國際大廠,無論在技術(shù)上,還是在市場份額上都有一定差距。長江存儲在原材料、設(shè)備等方面對外商有較大依賴,在實現(xiàn)不被卡脖子方面依然任重道遠(yuǎn)”。
據(jù)業(yè)界傳言,2020年底,長江存儲產(chǎn)能有望提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
本文系觀察者網(wǎng)獨家稿件,未經(jīng)授權(quán),不得轉(zhuǎn)載。
標(biāo)簽 三星- 責(zé)任編輯: 呂棟 
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