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中芯國際的先進制程染指哪些領域？
集微網消息（文/Oliver），9月19日，在2019中芯國際技術研討會上，中芯國際市場及海外銷售副總裁Kelvin Low表示，中芯國際的14nm FinFET工藝良率正不斷爬坡，產能也正成指數(shù)級增長。
Kelvin Low表示，在每一個工藝節(jié)點，中芯國際都在針對不同的應用需求來推出不同IP產品，例如MCU、基站等橫向應用領域。雖然MCU現(xiàn)在可能只會應用到55nm和40nm工藝，但Kelvin透露，目前也有客戶在考慮采用FinFET技術，所以未來FinFET技術擁將有很大的市場。
目前，中芯國際的14nm已經進入了客戶風險量產階段，12nm也已經進入了客戶導入階段。那么12nm相較于14nm有何提升呢？
Kelvin表示，中芯國際致力于幫助客戶打造低功耗、高性能的產品，而功耗的表現(xiàn)需要從多個維度去比較。具體來看，中芯國際的12nm相較于14nm能將芯片尺寸縮小10%，動態(tài)功耗降低10%，靜態(tài)功耗降低36%。
雖然射頻和車用電子目前還沒有用到先進工藝，但Kelvin認為，除了MCU，這兩個領域很快也會使用到14nm和12nm，中芯國際從工藝到封裝都已經做好了準備。
趙海軍：兩年之內必將出現(xiàn)電流計算的3nm技術
中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍博士在2019中芯國際技術研討會上講到，有好的設備中芯國際工藝也能很快的升級換代，因為器件并不需要更新。業(yè)界兩年之內一定會出現(xiàn)3nm，但是是電流計算的3nm。
趙海軍博士表示，中芯國際要做快速跟隨者，要做第二梯隊的第一名。他指出，市場上主要有引領者、挑戰(zhàn)者、跟隨者和利基者四個角色，而中芯國際要做快速的跟隨者，要做第二梯隊的第一名。
關于集成電路代工產業(yè)發(fā)展趨勢，趙海軍指出，在智能手機的驅動下，由于當今的工藝已經不需要做新器件，所以基本能做到一年一代。也因此，如果有好的設備，中芯國際也能很快的升級換代。
另外，趙海軍還表示，業(yè)界兩年內一定會會出現(xiàn)3nm工藝，因為他們已經做得差不多了。不過3nm是電流計算的3nm。
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- 責任編輯: 呂棟
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