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據(jù)中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)消息，該校郭光燦院士團(tuán)隊孫方穩(wěn)課題組和國家同步輻射實驗室/核科學(xué)技術(shù)學(xué)院鄒崇文課題組合作，制備出類腦神經(jīng)元器件，并展示出類腦神經(jīng)系統(tǒng)中多通道信號傳遞和處理過程。這項研究成果近日發(fā)表于國際權(quán)威期刊《科學(xué)進(jìn)展（Science Advances）》。這個過程中，實驗人員創(chuàng)新性地探測到了連接過程中導(dǎo)電絲的形成和實時成像。這種量子傳感成像技術(shù)為構(gòu)筑大規(guī)模人工突觸分層組織和神經(jīng)形態(tài)結(jié)構(gòu)提供了直接實驗依據(jù)。

類腦神經(jīng)元動態(tài)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖

類腦神經(jīng)元器件，即通常所說的類腦芯片，是指利用神經(jīng)形態(tài)器件去模擬人腦中的神經(jīng)元、突觸等基本功能，再進(jìn)一步將這些神經(jīng)形態(tài)器件聯(lián)結(jié)成人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，以模擬“大腦”的信息處理和存儲等復(fù)雜功能。二氧化釩(VO2)作為典型的氧化物量子材料，在近室溫附近具有可逆的絕緣-金屬相變，是制備高開關(guān)比突觸器件的理想材料。

本研究中課題組研究人員基于近十年VO2的研究基礎(chǔ)，利用氧化物分子束外延設(shè)備克服了高純相結(jié)構(gòu)的單晶二氧化釩薄膜的制備瓶頸，生長了高質(zhì)量二氧化釩外延薄膜，并通過微納加工制備了生物神經(jīng)元和突觸陣列，實現(xiàn)了電場調(diào)制和激光誘導(dǎo)下多通道VO2雙端器件的選擇性電路導(dǎo)通，從而直接模擬了神經(jīng)元之間的突觸動態(tài)連接過程。這種突觸之間的連接體現(xiàn)在VO2導(dǎo)電絲的形成和空間位置的選擇性，并直接受到外加電場和作為外加刺激的激光信號的調(diào)制。

外加電場和激光調(diào)制下的VO2導(dǎo)電絲形成的金剛石NV量子成像

此外對于神經(jīng)元突觸單元之間的動態(tài)連接過程，實驗人員創(chuàng)新性利用金剛石NV色心作為固態(tài)自旋量子傳感器探測了導(dǎo)電絲的形成和實時成像。由于VO2相變體系的光熱敏感性，相對于傳統(tǒng)的顯微成像技術(shù)，比如偏振紅外、拉曼或者近場光學(xué)(s-SNOM)等成像技術(shù)，采用基于金剛石NV色心的量子傳感方法避免了成像過程中測量系統(tǒng)激光信號的干擾，從而在研究外加刺激激光信號調(diào)制下突觸單元的動態(tài)連接和實時成像方面顯示出了獨特優(yōu)勢。這種量子傳感成像技術(shù)清晰的揭示了基于VO2類腦神經(jīng)系統(tǒng)中多通道信號處理和傳導(dǎo)途徑與外在刺激之間的關(guān)聯(lián)，為構(gòu)筑大規(guī)模人工突觸分層組織和神經(jīng)形態(tài)結(jié)構(gòu)提供了直接的實驗依據(jù)。

在《科學(xué)進(jìn)展》期刊首頁上的Feature Image介紹

該研究成果發(fā)表后被《科學(xué)進(jìn)展》期刊網(wǎng)站首頁以“Quantum imaging of artificial synapses”作為Featured image加以推介。國際知名學(xué)術(shù)媒體Physics.Org也對本工作做了亮點報道。

該論文第一作者為中科院量子信息重點實驗室博士后馮策和國家同步輻射實驗室博士生李博文，通訊作者為孫方穩(wěn)教授和鄒崇文研究員。該工作得到了科技創(chuàng)新2030重大項目、中國科學(xué)與穩(wěn)定支持基礎(chǔ)研究領(lǐng)域青年團(tuán)隊項目、國家自然科學(xué)基金、前沿科學(xué)重點研究計劃、合肥大科學(xué)中心項目、中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)等項目的支持。