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國(guó)內(nèi)廠商仍在追趕

存儲(chǔ)器一直是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的短板。海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示，2019年中國(guó)集成電路進(jìn)口額3040億美元。其中，存儲(chǔ)器進(jìn)口額947億美元，同比下降23.1%，但占比仍達(dá)31.1%。

不過，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商也在制程工藝上逐步推進(jìn)。

在NAND Flash方面，行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢4月22日的報(bào)告指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已在第一季度將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時(shí)出貨給模組廠。

2019年第四季度全球NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收數(shù)據(jù)，三星、鎧俠、美光、海力士等國(guó)外廠商占據(jù)份額超99%

根據(jù)該報(bào)告，NAND Flash各供應(yīng)商在1XX層的產(chǎn)品世代已有分歧，盡管三星、SK海力士已推出128層產(chǎn)品，但鎧俠/西數(shù)、美光、英特爾的112/128/144層產(chǎn)品要到下半年才會(huì)放量，相比前幾代3D NAND產(chǎn)品的發(fā)展進(jìn)程來得更久，有利于長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層產(chǎn)品迎頭趕上。

除此之外，報(bào)告指出，去年NAND Flash價(jià)格平均跌幅達(dá)46%，導(dǎo)致主要供應(yīng)商陷入虧損，資本支出轉(zhuǎn)為保守，產(chǎn)出增長(zhǎng)規(guī)劃亦創(chuàng)下歷史新低，這也讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)有了拉近差距的機(jī)會(huì)。

圖片來源：集邦TrendForce

在DRAM方面，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片、DDR4模組等產(chǎn)品已亮相其官網(wǎng)。據(jù)其介紹，相較于上一代DDR3內(nèi)存芯片, DDR4內(nèi)存芯片擁有更快的數(shù)據(jù)傳輸速率、更穩(wěn)定的性能和更低的能耗，可應(yīng)用于PC、服務(wù)器、消費(fèi)電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)截圖

觀察者網(wǎng)去年12月曾報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布成為國(guó)內(nèi)唯一一家DRAM生產(chǎn)商。該公司已經(jīng)完成合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè)，計(jì)劃在今年第二季度將產(chǎn)能提高1倍，達(dá)到每月4萬片，約占全球產(chǎn)能3%。

與國(guó)外廠商進(jìn)度對(duì)比來看，今年2月，美光6GB、8GB和12GB容量的LPDDR5內(nèi)存已出貨給客戶，三星16GB LPDDR5也于同月量產(chǎn)，而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)10nm級(jí)第一代8Gb DDR4去年9月才首度亮相。

2019年第四季度全球DRAM廠商營(yíng)收排名，三星、海力士、美光合計(jì)占據(jù)95%的市場(chǎng)份額 數(shù)據(jù)來源：集邦咨詢

（編輯：尹哲）

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