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臺(tái)積電2nm“取得突破”

當(dāng)然，臺(tái)積電也不會(huì)“坐以待斃”。

臺(tái)媒近日的報(bào)道顯示，臺(tái)積電在2nm制程上取得一項(xiàng)重大突破，有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年步入量產(chǎn)。

臺(tái)積電表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)進(jìn)行1nm工藝的研發(fā)。該公司預(yù)計(jì)，蘋(píng)果、高通、英偉達(dá)、AMD等客戶(hù)有望率先采用其2nm工藝。

圖片來(lái)源：臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》

根據(jù)該報(bào)道，臺(tái)積電2nm將放棄延用多年的FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 )，也不計(jì)劃采用三星在3nm上使用的GAAFET ( 環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 )，而是采用MBCFET( 多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 )。

這一技術(shù)能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。

與此同時(shí)，一些分析師也在質(zhì)疑，三星是否有能力在臺(tái)積電主導(dǎo)的市場(chǎng)中占據(jù)相當(dāng)大的份額。

彭博社報(bào)道指出，臺(tái)積電每年花費(fèi)約170億美元，以確保自己在技術(shù)和產(chǎn)能方面都處于領(lǐng)先地位。至于三星，其半導(dǎo)體部門(mén)計(jì)劃在2020年投入260億美元，但主要為了支持占主導(dǎo)地位的內(nèi)存業(yè)務(wù)。

而三星在內(nèi)存制造方面的特長(zhǎng)，也并不都與制造高級(jí)邏輯芯片直接相關(guān)。處理器的制造比內(nèi)存更復(fù)雜，產(chǎn)量更難控制，代工客戶(hù)也需要定制的解決方案，這對(duì)三星的快速擴(kuò)張?jiān)斐闪硪粋€(gè)障礙。

三星電子平澤二號(hào)生產(chǎn)線全景。 圖片來(lái)源：三星電子

事實(shí)上，臺(tái)積電與三星接連在先進(jìn)制程取得突破，讓半導(dǎo)體巨頭英特爾“壓力山大”。

今年7月，在7nm量產(chǎn)宣布延期后，該公司首次考慮通過(guò)外包生產(chǎn)芯片。

為了緩解被稱(chēng)為“牙膏廠”的尷尬，英特爾高管早在2017年就曾喊話半導(dǎo)體業(yè)界，建立統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)命名芯片的工藝制程，如以晶體管密度為標(biāo)準(zhǔn)。

若以晶體管密度作為標(biāo)準(zhǔn)，英特爾的10nm甚至優(yōu)于對(duì)手的7nm。

在此之后，三星、臺(tái)積電開(kāi)始受到“假7nm”的質(zhì)疑。

但臺(tái)積電也不甘示弱。

今年2月，臺(tái)積電營(yíng)銷(xiāo)負(fù)責(zé)人表示，從0.35微米（350nm）開(kāi)始，所謂的工藝數(shù)字就不再真正代表物理尺度了。他補(bǔ)充稱(chēng)，7nm/N7只是一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化術(shù)語(yǔ)，5nm還有N5等等。

但他同樣認(rèn)為，需要尋求一種全新的、對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)不同的描述化語(yǔ)言。

這也凸顯出芯片制造的復(fù)雜程度。

圖片來(lái)源：《DIGITIMES》