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不過(guò)，瑟羅恰如其分地對(duì)這種產(chǎn)業(yè)政策表達(dá)了嘲諷：“如果把工（產(chǎn)）業(yè)政策界定為貿(mào)易保護(hù)，那么，美國(guó)的工業(yè)政策就不比德國(guó)或日本少。但是，正如日本人所說(shuō)，它是一種‘由輸家來(lái)推動(dòng)’的工業(yè)政策，是缺乏計(jì)劃的政治利益集團(tuán)為死亡工業(yè)尋求保護(hù)進(jìn)行院外活動(dòng)的產(chǎn)物。其它工業(yè)化國(guó)家的工業(yè)政策包含有戰(zhàn)略思想，是‘由贏家來(lái)推動(dòng)’的。日本人保護(hù)非結(jié)晶金屬，美國(guó)人保護(hù)低技術(shù)的鋼鐵。當(dāng)美國(guó)人怕使用工業(yè)政策這個(gè)用詞時(shí)，歐洲人卻驕傲地設(shè)計(jì)自己的泛歐工業(yè)政策?！?

瑟羅對(duì)美國(guó)的產(chǎn)業(yè)政策恨鐵不成鋼。實(shí)際上，以培育戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)去贏得未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)的進(jìn)攻性產(chǎn)業(yè)政策，與以救助衰退產(chǎn)業(yè)去追求就業(yè)與社會(huì)穩(wěn)定等民生目標(biāo)的防御性產(chǎn)業(yè)政策，從性質(zhì)上來(lái)說(shuō)是非常不同的。二戰(zhàn)后的日本同時(shí)運(yùn)用了這兩類(lèi)產(chǎn)業(yè)政策，但從發(fā)展主義的工業(yè)文化看，日本政府更看重的還是進(jìn)攻性產(chǎn)業(yè)政策，通過(guò)培育有競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)業(yè)來(lái)順帶實(shí)現(xiàn)就業(yè)等民生目標(biāo)。

然而，這并不能說(shuō)美國(guó)政府要救助的都是缺乏競(jìng)爭(zhēng)力和比較優(yōu)勢(shì)的衰退產(chǎn)業(yè)。事實(shí)上，在1980年代的美日貿(mào)易摩擦中，美國(guó)政府保護(hù)的半導(dǎo)體工業(yè)就是具有戰(zhàn)略意義的新興產(chǎn)業(yè)。當(dāng)時(shí)，并非美國(guó)政府刻意實(shí)施產(chǎn)業(yè)政策，而是美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)主動(dòng)提出要求保護(hù)。

1977年3月，以英特爾公司、仙童公司、國(guó)民半導(dǎo)體公司、摩托羅拉公司和AMD公司這5家企業(yè)為核心，美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)結(jié)成了全國(guó)性的同業(yè)協(xié)會(huì)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Industry Association，簡(jiǎn)稱(chēng)SIA）。1977年4月，AMD公司代表美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)，向訪美的日本首相提出日本的半導(dǎo)體進(jìn)口壁壘、日本半導(dǎo)體依靠政府補(bǔ)貼向美國(guó)市場(chǎng)滲透、日本MOS存儲(chǔ)器在美國(guó)的售價(jià)等問(wèn)題。

此后，美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)起了激烈的對(duì)日批判運(yùn)動(dòng)，并向美國(guó)政府陳情，最終引發(fā)了日美半導(dǎo)體貿(mào)易談判。表6-34為1975—1981年日本集成電路的貿(mào)易形勢(shì)，由此可以看到日美半導(dǎo)體貿(mào)易摩擦的背景。

資料來(lái)源：通商產(chǎn)業(yè)政策史編纂委員會(huì)：《日本通商產(chǎn)業(yè)政策史》第12卷，第442頁(yè)。

實(shí)際上，日本的集成電路貿(mào)易一直要到1979年才轉(zhuǎn)變?yōu)轫槻?，而日本?duì)美國(guó)的逆差要持續(xù)到1980年。反過(guò)來(lái)說(shuō)，美國(guó)集成電路在日本的市場(chǎng)份額，相對(duì)穩(wěn)定而呈小幅增長(zhǎng)的趨勢(shì)。這表明日本在半導(dǎo)體上其實(shí)對(duì)美國(guó)有較高的依存度，日本的半導(dǎo)體工業(yè)也沒(méi)有強(qiáng)勢(shì)到吞噬美國(guó)市場(chǎng)。

具體分析，日本進(jìn)口的主要是缺乏比較優(yōu)勢(shì)的雙極型集成電路和微處理器，出口的則是擅長(zhǎng)制造的MOS型集成電路。然而，美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)是以動(dòng)態(tài)的眼光看待日本半導(dǎo)體工業(yè)的，希望進(jìn)行防微杜漸的打擊。

首先，盡管日本半導(dǎo)體在美國(guó)的市場(chǎng)占有率到1980年也不過(guò)才6.3%，大大低于馬來(lái)西亞、新加坡、菲律賓和歐洲等國(guó)，但馬來(lái)西亞、新加坡和菲律賓的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是美國(guó)跨國(guó)公司投資布局的生產(chǎn)基地，其對(duì)美國(guó)的出口都可以被視為是美國(guó)企業(yè)從海外據(jù)點(diǎn)的出口，美國(guó)企業(yè)并不會(huì)將自己的海外據(jù)點(diǎn)看成威脅。而除去這種情況，美國(guó)半導(dǎo)體對(duì)外依存率為10%多，日本所占6.3%的比重就不可謂不高了。

其次，從產(chǎn)品類(lèi)別來(lái)看，在美國(guó)16K比特RAM市場(chǎng)上，日本企業(yè)的占有率明顯擴(kuò)大，16K比特RAM屬于當(dāng)時(shí)的尖端技術(shù)，而隨著日本推行超LSI開(kāi)發(fā)產(chǎn)業(yè)政策，已經(jīng)感到頹勢(shì)的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)擔(dān)心會(huì)在技術(shù)研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中敗北。

基于這兩點(diǎn)理由，在日本半導(dǎo)體工業(yè)還沒(méi)有對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)形成全面優(yōu)勢(shì)的1977年，美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)就開(kāi)始未雨綢繆來(lái)遏制日本半導(dǎo)體企業(yè)的擴(kuò)張勢(shì)頭了。值得一提的是，從美國(guó)企業(yè)不擔(dān)心自己布局在東南亞的子公司而擔(dān)心日本企業(yè)來(lái)看，依附和自主在產(chǎn)業(yè)與經(jīng)濟(jì)上的區(qū)別是很明顯的。

于是，美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)在國(guó)內(nèi)輿論掀起了鋪天蓋地的對(duì)日本的攻擊，包括重量級(jí)媒體《財(cái)富》雜志于1978年2月刊發(fā)了《硅谷的日本間諜》專(zhuān)題報(bào)道，稱(chēng)日本企業(yè)采取一切手段從硅谷的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)竊取尖端技術(shù)，并稱(chēng)日美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)條件存在不平等性等等，總之就是盡可能刺激美國(guó)國(guó)內(nèi)的民族主義情緒。

為此，日本業(yè)界以日本電子工業(yè)會(huì)的名義向《財(cái)富》雜志寄去了抗議信。1978年3月，美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)呼吁抵制日本產(chǎn)品。輿論的鋪墊為美日政府間的半導(dǎo)體貿(mào)易爭(zhēng)端鋪平了道路。文化斗爭(zhēng)是工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的先導(dǎo)，也是工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的一部分。

面對(duì)美國(guó)的攻勢(shì)，日本進(jìn)行了回應(yīng)。通產(chǎn)省于1978年3月決定公開(kāi)超LSI專(zhuān)利，同年6月，日本政府決定大幅度降低半導(dǎo)體的關(guān)稅，在1979年4月草簽的一攬子降低關(guān)稅協(xié)定中，則表示將從1981年1月開(kāi)始的8年期間，將半導(dǎo)體關(guān)稅由12%下降到4.2%，從形式上對(duì)美國(guó)進(jìn)行了讓步。

這里需要特別指出的是，日本在為超LSI開(kāi)發(fā)進(jìn)行辯護(hù)的同時(shí)，指出了美國(guó)政府實(shí)施了相同性質(zhì)的隱性產(chǎn)業(yè)政策。日本政府對(duì)超LSI開(kāi)發(fā)的辯護(hù)分為兩個(gè)主要方面：

（一）在政府資助產(chǎn)業(yè)這一點(diǎn)上，美國(guó)投入的資金多得多。例如，在日本，政府對(duì)電子工業(yè)、機(jī)械工業(yè)整個(gè)研究開(kāi)發(fā)的補(bǔ)助僅2%強(qiáng)，項(xiàng)目也只有通產(chǎn)省的重要技術(shù)開(kāi)發(fā)補(bǔ)助金、大型研究開(kāi)發(fā)制度、下一代電子計(jì)算機(jī)開(kāi)發(fā)補(bǔ)助金等，而在美國(guó)，按照NASA的預(yù)算和軍事預(yù)算，政府資助了大約50%的研究開(kāi)發(fā)經(jīng)費(fèi)。

（二）通產(chǎn)省所推進(jìn)的超LSI開(kāi)發(fā)，不是進(jìn)行集成電路產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，而是以開(kāi)發(fā)下一代電子計(jì)算機(jī)的未來(lái)系統(tǒng)為最終目的，進(jìn)行的基礎(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)。且超LSI開(kāi)發(fā)邀集彼此競(jìng)爭(zhēng)的企業(yè)共同研發(fā)基礎(chǔ)技術(shù)而非產(chǎn)品，從關(guān)貿(mào)總協(xié)定規(guī)則上來(lái)說(shuō)也允許政府給予補(bǔ)貼。

實(shí)際上，1979年美國(guó)國(guó)防部開(kāi)始制定VHSI（Very High Speed Integration，超高頻集成電路）計(jì)劃，也就沒(méi)有借口揪住日本的超LSI開(kāi)發(fā)不放，這個(gè)爭(zhēng)端算是基本解決了。